| 摘要 |
本发明系提供一种记忆体装置，包括一记忆单元，该记忆单元之读取容限系超过该记忆单元内MR元件的MR比率。该记忆单元系包括一MR元件，一参考电晶体、以及一放大电晶体。在一些实施例中，该MR元件可包括一个夹于两电极层中间之磁性穿隧接面。其中一个电极层可连接至一输入节点，而该输入节点亦连接至该参考电晶体之汲极或源极以及该放大电晶体之闸极。该放大电晶体之汲极经由一导电程式线连接至一感测放大器。该记忆单元系利用流经该MR元件的电流来控制该放大电晶体闸极至源极的电压，并依据横跨该放大电晶体之压降(或损失电流)以感应该记忆单元之状态。 |
