| 摘要 |
本案为一种具L形源极区之功率半导体元件，其结构包含：一基板；一井区，形成于该基板内；一本体区，形成该井区之上；一沟渠闸极，形成于该井区之两侧，其中该沟渠闸极之侧壁及底面更具有一闸极氧化层；一L形源极区，其具有一平顶区及一直侧区，分别形成于该本体区之部份顶面及两侧；一介电质绝缘层，形成于该沟渠闸极区及部分该L形源极区之上，并定义有一接触窗；以及一金属层，形成于该介电质绝缘层、该本体区及该L形源极区之上，并经由该接触窗与该L形源极区连接，俾以形成该具L形源极区之埋入式沟渠闸极之功率半导体元件。 |
