金属矽化物的制程方法

摘要

一种金属矽化物制程方法，此方法系针对金属矽化物制程中，于沈积耐热金属层且进行第一次回火和清除未反应金属层之后，进行物种植入制程，将物种植入金属矽化物中，以破坏金属矽化物中的晶格结构，避免在第二次回火时，金属矽化物因为温度较高而造成尖峰(spiking)与侧向扩散，而产生界面漏电流(junctionleakage)的问题。