浮动闸电晶体以及半导体快闪记忆体元件

摘要

本发明提供一种浮动闸电晶体与半导体快闪记忆体。该浮动闸电晶体包含有一穿隧氧化层、一介电层、一电极以及一量子井。该穿隧氧化层形成于一基底上。该介电层形成于该穿隧氧化层之上。该电极形成于该介电层之上。该量子井设于该介电层与该穿隧氧化层之间。