晶圆洁净装置的晶圆保护系统以及晶圆清洗制程

摘要

本发明披露一种晶圆清洗制程，将经过氧气电浆灰化处理后之半导体晶圆置于清洗溶液浸泡槽，并浸泡在清洗溶液中，其中该半导体晶圆经过氧气电浆灰化处理后之表面上具有待清除之光阻灰化残留物、蚀刻副产物以及暴露出来的金属导线图案；该清洗溶液浸泡槽系连接一循环管线，排放控制阀以及液体排放管线；替代溶液可经由控制阀以及液体输送管线注入该清洗溶液浸泡槽；当该半导体晶圆浸泡在该清洗溶液之时间若超过一预定时间限制，即刻开启该排放控制阀将该清洗溶剂经由该排放控制阀以及该液体排放管线排出该清洗溶液浸泡槽；在该清洗溶液排放完之后，开启该控制阀，将该替代溶液经由控制阀以及液体输送管线注入该清洗溶液浸泡槽。

主权项

1.一种晶圆洁净装置,包括:一清洗溶液浸泡槽,内承一清洗溶液以浸泡晶圆;以及一晶圆保护系统与该清洗溶液浸泡槽连接,该晶圆保护系统包括:一具有一排放控制阀之液体排放管,以于晶圆浸泡一预定时间后将该清洗溶液排出该清洗溶液浸泡槽;以及一具有一替代溶液控制阀之替代溶液输送管与该液体排放管连接,以将一替代溶液注入至该清洗溶液浸泡槽中取代已排出之该清洗溶液。2.如申请专利范围第1项所述之晶圆洁净装置,其中该清洗溶液包含有胺类清洗溶剂。3.如申请专利范围第2项所述之晶圆洁净装置,其中该胺类清洗溶剂包含有羟胺(hydroxylamine)。4.如申请专利范围第2项所述之晶圆洁净装置,其中该胺类清洗溶剂包含有EKC-270。5.如申请专利范围第1项所述之晶圆洁净装置,其中该替代溶液包含有EKC-800或NMP溶液。6.如申请专利范围第1项所述之晶圆洁净装置,其中该替代溶液每一至三小时被排放掉一次。7.如申请专利范围第1项所述之晶圆洁净装置,其中该清洗溶液浸泡槽包括:一具有一清洗溶液控制阀之清洗溶液输送管与该清洗溶液浸泡槽连接,以将该清洗溶液注入该清洗溶液浸泡槽中;一循环管线连接该清洗溶液浸泡槽以及该清洗溶液输送管;以及一溶液输送泵浦,设置于该清洗溶液输送管上。8.如申请专利范围第1项所述之晶圆洁净装置,其中该预定时间约为5-30分钟。9.一种晶圆清洗制程,包含有:将晶圆浸泡在一清洗溶液浸泡槽中,其中该清洗溶液浸泡槽连接一晶圆保护系统,其包括一具有一排放控制阀之液体排放管;以及一具有一替代溶液控制阀之替代溶液输送管与该液体排放管连接;于晶圆浸泡一预定时间后,开启该排放控制阀,将该清洗溶液经由该液体排放管排出该清洗溶液浸泡槽;以及开启该替代溶液控制阀,将一替代溶液经由该替代溶液输送管注入至该清洗溶液浸泡槽中,以取代已排出之该清洗溶液。10.如申请专利范围第9项所述之一种晶圆清洗制程,其中该清洗溶液包含有胺类清洗溶剂。11.如申请专利范围第10项所述之一种晶圆清洗制程,其中该胺类清洗溶剂包含有羟胺。12.如申请专利范围第10项所述之一种晶圆清洗制程,其中该胺类清洗溶剂包含有EKC-270。13.如申请专利范围第9项所述之一种晶圆清洗制程,其中该替代溶液包含有EKC-800或NMP溶液。14.如申请专利范围第9项所述之一种晶圆清洗制程,其中该替代溶液每一至三小时被排放掉一次。15.如申请专利范围第9项所述之一种晶圆清洗制程,其中该预定时间约为5-30分钟。图式简单说明:第1图是习知技艺半导体湿式化学工作站的示意图。第2图是本发明较佳实施例半导体湿式化学工作站的示意图。第3图是本发明清洗溶液浸泡槽及晶圆保护系统示意图。