| 主权项 |
1.一种快闪记忆体单元电晶体,包括:一p井区与一n井区,其系藉由一矽基板上的一隔离氧化膜所隔开;一nMOS区,包含该p井区上的一nMOS通道离子布植区、该nMOS通道离子布植区上的一第二闸极氧化膜、以及该第二闸极氧化膜上的一第一n+多晶矽闸极电极;以及一pMOS区,包含该n井区上的一pMOS通道离子布植区;循序地形成于该pMOS通道离子布植区上的一第一闸极氧化膜、具有电子捕捉的一绝缘膜及该第二闸极氧化膜;以及该第二闸极氧化膜上的一第二n+多晶矽闸极电极。2.如请求项1之快闪记忆体单元电晶体,其中具有电子捕捉的该绝缘膜系由选自一N2O绝缘膜、一氮化膜、一氧化铝膜或氧化铪膜的材料其中之一所组成。3.一种制造快闪记忆体单元电晶体之方法,包括:形成藉由一隔离膜所隔开之一n井区与一p井区于一矽基板之上之第一步骤;在以与该p井区相同的p型离子进行一nMOS通道离子布植,以及以与该n井区相同的n型离子进行一pMOS通道离子布植之后,会循序地沈积一第一闸极氧化膜、具有一电子捕捉的一绝缘膜、以及一缓冲氧化膜于已曝光的该p井区及该n井区上之第二步骤;涂布一光阻膜及以一pMOS氧化膜光罩使该膜图案化,以使用已曝光的该nMOS区之该缓冲氧化膜当作一光罩来蚀刻该n井区中具有一电子捕捉的该绝缘膜,并且同时会蚀刻已曝光的该nMOS区之该第一闸极氧化膜及该缓冲氧化膜之第三步骤;形成一第二闸极氧化膜于已曝光的该nMOS区之该p井区,以及具有该pMOS区的一电子补捉之该绝缘膜之上之第四步骤;沈积一n+多晶矽闸极电极于该第二闸极氧化膜之上之第五步骤;以及涂布一光阻膜及使用一闸极光罩使该n+多晶矽闸极电极图案化,以蚀刻该曝光区的该n+多晶矽,并且会去除残留的该光阻膜之第六步骤。4.如请求项3之方法,其中该第三步骤中之该pMOS区的该缓冲氧化膜系完全蚀刻5.如请求项3之方法,其中该第三步骤中之该pMOS区的该缓冲氧化膜系部分蚀刻,以至于该缓冲氧化膜的厚度会降低。图式简单说明:图1系绘示传统的快闪记忆体单元电晶体之一例的截面图;图2a及2b系绘示图1之nMOS区及pMOS区的运作之图形;图3系绘示传统的快闪记忆体单元电晶体之另一例的截面图;图4a及4b系绘示图1之nMOS区及pMOS区的运作之图形;图5系绘示根据本发明之一具体实施例的快闪记忆体单元电晶体之截面图;以及图6a至6e系绘示制造根据本发明之一具体实施例的快闪记忆体单元电晶体之制程的图形。 |
