| 主权项 |
1.一种浅沟渠隔离的制造方法,至少包括:在一基材形成一沟渠,其中该基材上更包括依序堆叠之一垫氧化层与一氮化矽层;形成一衬氧化层于该沟渠之一侧壁上;以及进行一热氮化步骤,使得该衬氧化层以及该沟渠侧壁上裸露的该垫氧化层,氮化并分别形成一氮氧化矽层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该热氮化步骤是利用一炉管氮化步骤。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该炉管氮化步骤所使用之一气体更包括选自于氮(N2)、氧化氮(NO)、氧化亚氮(N2O)或氨(NH3)等所组成之一族群。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该热氮化步骤是利用一快速昇温氮化步骤。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该快速昇温氮化步骤所使用之一气体更包括选自于氮(N2)、氧化氮(NO)、氧化亚氮(N2O)或氨(NH3)等所组成之一族群6.一种浅沟渠隔离的制造方法,至少包括:在一基材形成一沟渠,其中该基材上更包括依序堆叠之一垫氧化层与一氮化矽层;形成一衬氧化层于该沟渠之一侧壁上;进行一热氮化步骤,使得该衬氧化层以及该沟渠侧壁上裸露的该垫氧化层,氮化并分别形成一氮氧化矽层;以及形成一氧化矽层,填满该沟渠。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中形成该沟渠的方法包括:在该基材上依序形成该垫氧化层、该氮化矽层以及一光阻层;进行一微影与蚀刻步骤,藉以在该基材中形成该沟渠;以及去除该光阻层。8.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该热氮化步骤是利用一炉管氮化步骤。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该炉管氮化步骤所使用之一气体更包括选自于氮(N2)、氧化氮(NO)、氧化亚氮(N2O)或氨(NH3)等所组成之一族群。10.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该热氮化步骤是利用一快速昇温氮化步骤。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该快速昇温氮化步骤所使用之一气体更包括选自于氮(N2)、氧化氮(NO)、氧化亚氮(N2O)或氨(NH3)等所组成之一族群。12.一种浅沟渠隔离的制造方法,至少包括:在一半导体基材上依序形成一垫氧化层与一氮化矽层;进行一微影步骤,藉以在该半导体基材中形成一沟渠;形成一衬氧化层于该沟渠之一侧壁上。进行一热氮化步骤,使得该衬氧化层以及该沟渠侧壁上裸露的该垫氧化层,氮化并分别形成一氮氧化矽层;形成一氧化矽层,填满该沟渠;以及进行一平坦化步骤。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该热氮化步骤是利用一炉管氮化步骤。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该炉管氮化步骤所使用之一气体更包括选自于氮(N2)、氧化氮(NO)、氧化亚氮(N2O)或氨(NH3)等所组成之一族群。15.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该热氮化步骤是利用一快速昇温氮化步骤。16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该快速昇温氮化步骤所使用之一气体更包括选自于氮(N2)、氧化氮(NO)、氧化亚氮(N2O)或氨(NH3)等所组成之一族群。图式简单说明:第1图至第5图系绘示习知浅沟渠隔离的制造流程图;以及第6图至第11图系绘示依照本发明一较佳实施例之一种浅沟渠隔离的制造流程图。 |
