发明名称 溅射靶及其制造方法
摘要 一种溅射靶和溅射靶的制造方法,所制得之溅镀靶不产生弧光,可安定形成膜,当结球产生时不致产生因颗粒引起的基板等之品质劣化。本发明的溅射靶系经由黏结材料接合由复数个分割靶材所构成的靶材和衬板的溅射靶。分割靶材之中,在互相邻接的不同厚度的分割靶材的邻接部之中,于厚度较厚之一方的分割靶材的邻接部分,形成具有与厚度较薄的分割靶材的厚度略同的厚度的水平部分,且在厚度较厚之一方的分割靶材,从水平部分至上部靶面形成连续倾斜部分。
申请公布号 TWI265203 申请公布日期 2006.11.01
申请号 TW092123232 申请日期 2003.08.22
申请人 三井金属矿业股份有限公司 发明人 尾野直纪
分类号 C23C14/34(2006.01) 主分类号 C23C14/34(2006.01)
代理机构 代理人 谢秉原 台北市中正区重庆南路1段10号台企大楼4楼406室
主权项 1.一种溅射靶,系经由黏结材料接合由复数个分割靶材所构成的靶材和衬板所构成之溅射靶;其特征为:在前述分割靶材之中,在互相邻接的不同厚度的分割靶材的邻接部之中;在厚度较厚的一方的分割靶材的邻接部分,形成具有与厚度较薄的分割靶材略同的厚度的水平部分;以及在前述厚度较厚之一方的分割靶材,从上述厚度较厚之一方的分割靶材的水平部分至上部靶面连续形成倾斜部分。2.如申请专利范围第1项所记载的溅射靶,其特征为前述厚度较厚之一方的分割靶材的水平部分宽度为1mm以上。3.如申请专利范围第1或2项所记载的溅射靶,其特征为前述厚度较厚之一方的分割靶材的倾斜部分和水平部分所成的角度为45以下。4.如申请专利范围第1项所记载的溅射靶,其特征为在前述厚度较厚的一方的分割靶材的水平部分和倾斜部份之间的部分形成R部分。5.如申请专利范围第4项所记载的溅射靶,其特征为在前述厚度较厚的一方的分割靶材的水平部分和倾斜部份之间所形成的R部份为R0.1mm以上。6.如申请专利范围第1项所记载的溅射靶,其特征为在前述厚度较厚之一方的分割靶材的上部靶面和倾斜部份之间的部分形成R部分。7.如申请专利范围第6项所记载的溅射靶,其特征为在前述厚度较厚之一方的分割靶材的上部靶面和倾斜部份之间所形成的R部份为R0.1mm以上。8.如申请专利范围第1、2、6或7项中任一项所记载的溅射靶,其特征为前述厚度较厚之一方的分割靶材的水平部分和倾斜部份之间的部分系由与前述厚度较厚之一方的分割靶材的水平部分形成的角度为45以下且长度为0.1mm以上的直线(C0.1mm以上)所形成。9.如申请专利范围第1、2、4或5项中任一项所记载的溅射靶,其特征为前述厚度较厚之一方的分割靶材的上部靶面和倾斜部份之间的部分系由与前述厚度较厚之一方的分割靶材的上部靶面形成的角度为45以下且长度为0.1mm以上的直线(C0.1mm以上)所形成。10.如申请专利范围第1、2、6或7项中任一项所记载的溅射靶,其特征为前述厚度较厚的一方的分割靶材的水平部分和倾斜部份之间的部分由连续变化的直线群形成。11.如申请专利范围第1、2、4或5项中任一项所记载的溅射靶,其特征为前述厚度较厚之一方的分割靶材的上部靶面和倾斜部份之间的部分由连续变化的直线群所形成。12.如申请专利范围第1或2项所记载的溅射靶,其特征为前述分割靶材之中,在互相邻接的不同厚度分割靶材的邻接部的角落部施予边缘处理。13.如申请专利范围第12项所记载的溅射靶,其特征为前述边缘处理为R0.1mm-5mm的R面处理。14.如申请专利范围第12项所记载的溅射靶,其特征为前述边缘处理为C0.1mm-5mm的C面处理。15.如申请专利范围第1或2项所记载的溅射靶,其特征为在前述分割靶材的互相邻接的邻接部之间,形成间隙。16.如申请专利范围第15项所记载的溅射靶,其特征为前述分割靶材的邻接部之间的间隙为0.05mm-0.7mm的间隙。17.如申请专利范围第1或2项所记载的溅射靶,其特征为前述靶材系以In或Sn为主成分的金属氧化物。18.一种溅射靶的制造方法,系经由黏结材料接合由复数个分割靶材所构成的靶材与衬板所成之溅射靶的制造方法;其特征为:在前述分割靶材之中,在互相邻接的不同厚度的分割靶材的邻接部之中;在厚度较厚的一方的分割靶材的邻接部分,形成具有与厚度较薄的分割靶材略同的厚度的水平部分;以及在前述厚度较厚之一方的分割靶材,从上述厚度较厚之一方的分割靶材的水平部分至上部靶面形成连续之倾斜部分。19.如申请专利范围第18项所记载的溅射靶的制造方法,其特征为前述厚度较厚之一方的分割靶材的水平部分宽度为1mm以上。20.如申请专利范围第18或19项所记载的溅射靶的制造方法,其特征为前述厚度较厚之一方的分割靶材的倾斜部分和水平部分所成的角度为45以下。21.如申请专利范围第18项所记载的溅射靶的制造方法,其特征为在前述厚度较厚的一方的分割靶材的水平部分和倾斜部份之间的部分形成R部分。22.如申请专利范围第21项所记载的溅射靶的制造方法,其特征为在前述厚度较厚的一方的分割靶材的水平部分和倾斜部份之间所形成的R部份为R0.1mm以上。23.如申请专利范围第18项所记载的溅射靶的制造方法,其特征为在前述厚度较厚之一方的分割靶材的上部靶面和倾斜部份之间的部分形成R部分。24.如申请专利范围第23项所记载的溅射靶的制造方法,其特征为在前述厚度较厚之一方的分割靶材的上部靶面和倾斜部份之间所形成的R部份为R0.1mm以上。25.如申请专利范围第18、19、23或24项中任一项所记载的溅射靶的制造方法,其特征为前述厚度较厚之一方的分割靶材的水平部分和倾斜部份之间的部分系由与前述厚度较厚之一方的分割靶材的水平部分形成的角度为45以下且长度为0.1mm以上的直线(C0.1mm以上)形成。26.如申请专利范围第18、19、21或22项中任一项所记载的溅射靶的制造方法,其特征为前述厚度较厚之一方的分割靶材的上部靶面和倾斜部份之间的部分系由与前述厚度较厚之一方的分割靶材的上部靶面形成的角度为45以下且长度为0.1mm以上的直线(C0.1mm以上)形成。27.如申请专利范围第18、19、23或24项中任一项所记载的溅射靶的制造方法,其特征为前述厚度较厚的一方的分割靶材的水平部分和倾斜部份之间的部分由连续变化的直线群形成。28.如申请专利范围第18、19、21或22项中任一项所记载的溅射靶的制造方法,其特征为前述厚度较厚之一方的分割靶材的上部靶面和倾斜部份之间的部分由连续变化的直线群形成。29.如申请专利范围第18或19项所记载的溅射靶的制造方法,其特征为前述分割靶材之中,在互相邻接的不同厚度分割靶材的邻接部的角落部施予边缘处理。30.如申请专利范围第29项所记载的溅射靶的制造方法,其特征为前述边缘处理为R0.1mm-5mm的R面处理。31.如申请专利范围第29项所记载的溅射靶的制造方法,其特征为前述边缘处理为C0.1mm-5mm的C面处理。32.如申请专利范围第18或19项所记载的溅射靶的制造方法,其特征为在前述分割靶材的互相邻接的邻接部之间形成间隙。33.如申请专利范围第32项所记载的溅射靶的制造方法,其特征为前述分刻靶材的邻接部之间的间隙为0.05 mm-0.7mm的间隙。34.如申请专利范围第18或19项所记载的溅射靶的制造方法,其特征为前述靶材系以In或Sn为主成分的金属氧化物。图式简单说明:第1图系一斜视图,显示本发明的第1实施例的溅射靶;第2图系在第1图沿Ⅱ-Ⅱ线的截面图;第3图系第2图的部分扩大截面图;第4图系与显示本发明的溅射靶的第2实施例的第3图同样的部分扩大截面图;第5图系与显示本发明的溅射靶的第3实施例的第3图同样的部分扩大截面图;第6图系显示本发明的溅射靶的其它实施例的部分扩大概略图;第7图系习知的溅射靶的部分扩大截面图;以及第8图系习知的溅射靶的部分扩大截面图。
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