| 主权项 |
1.一种程式化快闪记忆体单元之方法,包括:对将要被程式化快闪记忆体单元加以过度程式化之步骤;调整该快闪记忆体单元之闸偏压而使该被过度程式化快闪记忆体单元恢复之第一恢复步骤;设定该闸偏压至0V电压然后调整该被过度程式化快闪记忆体单元之主体偏压而使该被过度程式化快闪记忆体单元恢复之第二恢复步骤;使该闸偏压浮动然后调整该被过度程式化快闪记忆体单元之主体偏压,而使该被过度程式化快闪记忆体单元恢复之第三恢复步骤;及用自我升压操作调整该被过度程式化快闪记忆体单元之主体偏压,而使该被过度程式化快闪记忆体单元恢复之第四恢复步骤。2.如申请专利范围第1项程式化快闪记忆体单元之方法,其中在过度程式化步骤中,将一约20V之电压施加至该快闪记忆体单元之闸极。3.如申请专利范围第1项程式化快闪记忆体单元之方法,其中在过度程式化步骤中,将一约8V之电压施加至该快闪记忆体单元之闸极。4.如申请专利范围第1项程式化快闪记忆体单元之方法,其中在第二恢复步骤中,一约12V至13V之电压被施加至该快闪记忆体单元之主体及闸极并接地。5.如申请专利范围第1项程式化快闪记忆体单元之方法,其中在第三恢复步骤中,该8V之电压被施加至该快闪记忆体单元之主体及闸极系设定为浮动。6.如申请专利范围第1项程式化快闪记忆体单元之方法,其中在第四恢复步骤中,将12V+Vtn之电压施加至该快闪记忆体单元之汲极并将0V之电压施加至该快闪记忆体单元之闸极。7.一种程式化非及快闪记忆体之方法,包括:对连接至一选定字线W/L之所有快闪记忆体单元加以过度程式化之步骤;调整施加至该字线之闸偏压而使该快闪记忆体单元恢复之第一恢复步骤;设定施加至该字线之闸偏压至0V电压,然后调整被过度程式化快闪记忆体单元主体偏压之第二恢复步骤;使该字线浮动然后调整被过度程式化快闪记忆体单元主体偏压,而使被过度程式化快闪记忆体单元恢复之第三恢复步骤;用自我升压操作调整被过度程式化快闪记忆体单元主体偏压,而使该被过度程式化快闪记忆体单元恢复之第四恢复步骤;验证该等快闪记忆体单元是否被正常程式化之验证步骤;及视验证步骤之结果回到第一恢复步骤,或对第一至第四恢复步骤之每个偏压增量后回到第一恢复步骤之步骤。图式简单说明:图1为典型「非及」快闪记忆体之电路图;图2为说明传统式程式化一「非及」快闪记忆体方法之流程图;图3为说明传统式程式化一「非及」快闪记忆体方法之流程图;图4为按照本发明方法程式化后之临界电压分配;图5为说明按照本发明第一实施例程式化一「非及」快闪记忆体方法之流程图;图6为说明按照本发明第二实施例程式化一「非及」快闪记忆体方法之流程图;及图7为按照本发明方法程式化后之临界电压分配。 |
