| 主权项 |
1.一种用光束的照射进行资讯的录放的相变化光记录媒体,其特征在于具备用含Bi、Ge和Te的相变材料形成的记录层和用含Ge、Si和N的材料形成且接在所述记录层的至少一侧而形成的界面层。2.如申请专利范围第1项的相变化光记录媒体,其特征在于所述记录层内包含的Ge的含量是30原子%-50原子%。3.一种用光束的照射进行资讯的录放的相变化光记录媒体,其特征在于具备用含Ge、Sb和Te的相变材料形成的记录层和用含Ge、Si和N的材料形成且接在所述记录层的至少一侧而形成的界面层。4.如申请专利范围第3项的相变化光记录媒体,其特征在于所述记录层内包含的Ge的含量是30原子%-50原子%。5.如申请专利范围第3项的相变化光记录媒体,其特征在于所述记录层还含有Sn;所述记录层内包含的Ge含量与Sn含量之和是30原子%-50原子%。6.如申请专利范围第1-5项的任一项的相变化光记录媒体,其特征在于所述界面层内包含的Ge和Si的原子比Ge:Si是Ge:Si=90:10-40:60。7.如申请专利范围第6项的相变化光记录媒体的制造方法,其特征在于溅射形成所述界面层;溅射所述界面层时使用Ge和Si的原子比Ge:Si是Ge:Si=90:10-40:60的靶材。8.一种用光束的照射进行资讯的录放的相变化光记录媒体,其特征在于具备用含Bi、Ge和Te的相变材料形成的记录层和用含Ge、Si和N的材料形成且接在所述记录层的两侧而形成的界面层。9.如申请专利范围第1-5和第8项之任一项的相变化光记录媒体,其特征在于所述界面层的膜厚是1.5nm-15nm。10.如申请专利范围第1-5和第8项任一项的相变化光记录媒体,其特征在于所述界面层内所含的氮含量是20原子%、50原子%。图式简单说明:图1是按实施例1制作的相变化光记录媒体的示意性剖面图。图2是按比较例1制作的相变化光记录媒体的示意性剖面图。图3是按实施例2制作的相变化光记录媒体的示意性剖面图。图4是对按实施例2制作的相变化光记录媒体进行过104次重复抹写试验后的反射率变动量的示图。图5是按实施例2制作的相变化光记录媒体的膜剥离特性的结果的示图。图6是按实施例3制作的相变化光记录媒体的示意性剖面图。图7是对按实施例3制作的相变化光记录媒体进行过105次重复抹写试验后的抖动变动量的示图。图8是按实施例4制作的相变化光记录媒体的重复抹写试验的结果的示图。图9是按实施例5制作的相变化光记录媒体的重复抹写试验的结果的示图。图10是GeTe-Sb2Te3系材料的状态图。图11是GeTe-Bi2Te3系材料的状态图。图12是按实施例6制作的相变化光记录媒体的示意性剖面图。图13是按实施例6制作的相变化光记录媒体的重复抹写试验和反射率的结果的示图。图14是按实施例6制作的相变化光记录媒体的重复抹写试验和误差特性的结果的示图。 |
