| 主权项 |
1.一种用来在一晶圆上应用多个校准标记之装置,其包含:一主光罩单元,其具有形成于其上之对应于一所要校准标记的两个或两个以上校准标记图案;一光源,其能够穿过该主光罩之该等校准标记图案来透射光;及两个或两个以上物镜,每一物镜经定位以接收透射穿过该等校准标记图案中之一校准标记图案的光,每一物镜均具有一约等于该所要之校准标记之该面积的有效成像面积。2.如请求项1之装置,其中该主光罩单元系一单一主光罩。3.如请求项2之装置,其中每一物镜之该有效成像面积小于1 mm2。4.如请求项3之装置,其中该光源系一宽频光源。5.如请求项2之装置,其中该光源包含复数个不同光源,每一光源对应于该等物镜中之一物镜。6.如请求项1之装置,其中该等校准标记图案被定位于该主光罩单元上一所要位置之5 nm内。7.如请求项5之装置,其中经由一光纤将来自该等不同光源之每一光源的光透射至一对应物镜。8.如请求项2之装置,其中该主光罩系一石英晶圆。9.如请求项2之装置,其中该光源具有一基于一用以成像该所要校准标记所要求之解析度的均匀性。10.如请求项9之装置,其中用以成像该所要校准标记所要求之该解析度约为8m。11.一种用来在一晶圆上应用多个校准标记之方法,其包括:将一光阻层沈积于一晶圆上,该晶圆具有一定向指示器;将该晶圆置放于一所要位置中,该所要位置由该定向指示器来判定;及藉由使用一被导引穿过形成于一主光罩单元内之复数个校准标记图案的光源来曝光该光阻,将校准标记成像于该晶圆上。12.如请求项11之方法,其中该主光罩单元系一单一主光罩。13.如请求项12之方法,其中该光源系一宽频光源。14.如请求项12之方法,其中该等校准标记图案被定位于该主光罩单元上一所要位置之5 nm内。15.如请求项12之方法,其中该主光罩系一石英晶圆。16.如请求项12之方法,其中该光源具有一基于一用以成像该等校准标记所要求之解析度的均匀性。17.如请求项16之方法,其中成像该所要校准标记所要求之该解析度约为8m。18.一种用来形成一主光罩并决定主光罩偏移以对准该主光罩与晶圆之方法,其包括:判定一用于两个或两个以上校准标记中每一校准标记的位置;及创建一主光罩,其具有形成于其上之两个或两个以上校准标记图案,每一校准标记图案均形成于该主光罩上之一对应于一校准标记之一判定位置的位置中。19.如请求项18之方法,其进一步包括:量测该等校准标记图案之该位置以判定一主光罩偏移。20.如请求项19之方法,其中该主光罩偏移小于5 nm。21.如请求项20之方法,其中该主光罩系石英晶圆,其具有一沉积于其上之铬层,且其中藉由蚀刻该铬层来形成该等校准标记图案。22.一种于一晶圆上应用多个校准标记之方法,其包括:对一晶圆之一正面及该晶圆之一背面进行抛光;将一保护层涂覆至该晶圆之该正面与该晶圆之该背面;将一光阻层沈积于该晶圆之该背面上;及使用一缩版微影过程将校准标记成像于该晶圆之该背面。23.如请求项22之方法,其进一步包括:自该晶圆之该背面剥离该光阻;自该晶圆之该正面与该晶圆之该背面剥离该保护层;及将产品成像于该晶圆之该正面上。24.如请求项22之方法,其中该保护层包含一氧化层。25.如请求项22之方法,其中使用一装置来完成将校准标记成像于该晶圆之该背面上,该装置包含:一主光罩单元,其具有形成于其上之对应于一所要校准标记的两个或两个以上校准标记图案;一光源,其能够穿过该主光罩之该等校准标记图案来透射光;及两个或两个以上物镜,每一物镜经定位以接收透射穿过该等校准标记图案之一校准标记图案的光,每一物镜具有一约等于该所要校准标记之该面积的有效成像面积。26.如请求项25之方法,其中该主光罩单元系一单一主光罩。27.如请求项26之方法,其中每个物镜之该有效成像面积小于1 mm2。28.如请求项27之方法,其中该光源系一宽频光源。29.如请求项26之方法,其中该光源包含复数个不同光源,每个光源均对应于该等物镜中之一物镜。30.如请求项25之方法,其中该等校准标记图案被定位于该主光罩单元上一所要位置之5 nm内。31.如请求项29之方法,其中经由一光纤将来自该等不同光源之每一光源的光透射至一对应物镜。32.如请求项26之方法,其中该主光罩系一石英晶圆。33.如请求项26之方法,其中该光源具有一基于一用以成像该所要校准标记所要求之解析度的均匀性。34.如请求项33之方法,其中成像该所要校准标记所要求之该解析度约为8m。图式简单说明:图1根据本发明之一实施例说明了一用于成像全面、零层校准标记的校准标记成像模组;图2根据本发明之一实施例说明了一用以创建一其上形成有校准标记图案之主光罩的过程;图3根据本发明之一实施例说明了一用以使用一校准标记成像模组来成像校准标记的过程;及图4根据本发明之一实施例说明了一用以将校准标记成像于一晶圆之背面上以影响一缩版微影过程之BSA的过程。 |
