发明名称 增亮模组与光源装置
摘要 一种增亮模组,其系包含一微结构光学调制元件与一偏光元件;该微结构光学调制元件系具有一第一光学面与可接收一入射光之一第二光学面,该偏光元件系面对于该第二光学面;其中,该微结构光学调制元件更包含一扩散部与一集光部;该扩散部系由可透光材料所制成且可扩散该入射光,该集光部系由可透光材料所制成且可集中该入射光,该扩散部与该集光部系彼此并列抵靠且位于该第一光学面上。
申请公布号 TWI265355 申请公布日期 2006.11.01
申请号 TW094129178 申请日期 2005.08.26
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 姚柏宏;潘奕凯;黄珩春;林宗信;鲍友南
分类号 G02F1/13357(2006.01) 主分类号 G02F1/13357(2006.01)
代理机构 代理人 何文渊 台北市信义区松德路171号2楼
主权项 1.一种增亮模组,包含:一微结构光学调制元件,其系具有一第一光学面与可接收一入射光之一第二光学面,该微结构光学调制元件更包含:一扩散部,其系由可透光材料所制成且可扩散该入射光;一集光部,其系由可透光材料所制成且可集中该入射光,该扩散部与该集光部系彼此并列抵靠且位于该第一光学面上;以及一偏光元件,其系面对于该第二光学面。2.如申请专利范围第1项所述之增亮模组,其中该扩散部系包含具有一结构深度之至少一曲面形线状单元。3.如申请专利范围第2项所述之增亮模组,其中该曲面形线状单元结构深度系在10微米-500微米之范围内。4.如申请专利范围第1项所述之增亮模组,其中该集光部系包含具有一顶角之至少一菱形单元。5.如申请专利范围第4项所述之增亮模组,其中该顶角系在30度-140度之范围内。6.如申请专利范围第1项所述之增亮模组,其中该第二光学面系为平滑光学表面。7.如申请专利范围第1项所述之增亮模组,其中该第二光学面系为粗糙光学表面。8.如申请专利范围第1项所述之增亮模组,其中该微结构光学调制元件系为于塑胶基板上涂布一层紫外线成形材料,然后由微结构模仁滚压成形,接着以紫外光照射固化者。9.如申请专利范围第1项所述之增亮模组,其中该偏光元件系为一反射式偏光片。10.如申请专利范围第9项所述之增亮模组,其中该反射式偏光片所透射及反射之光线的极化方向不同。11.如申请专利范围第9项所述之增亮模组,其中该反射式偏光片所透射及反射之光线皆为线性偏极光。12.如申请专利范围第1项所述之增亮模组,其中该偏光元件系为复数个等间距排列之光栅单元,该光栅单元系具有一线宽以及一线高。13.如申请专利范围第12项所述之增亮模组,其中该线宽系大于0奈米且小于200奈米。14.如申请专利范围第12项所述之增亮模组,其中该线高系大于50奈米且小于500奈米。15.如申请专利范围第12项所述之增亮模组,其中该线宽除以(该线宽加该间距)之値系为5%-95%。16.如申请专利范围第12项所述之增亮模组,其中该光栅单元系由金属所制成。17.如申请专利范围第16项所述之增亮模组,其中该金属系为铝。18.如申请专利范围第16项所述之增亮模组,其中该金属系为银。19.一种光源装置,包含:一反射片;一导光板,其系位于该反射片之上;至少一光源,其系位于该导光板四周且可发射一入射光;以及一增亮模组,其系位于该导光板之上且包含:至少一微结构光学调制元件,其系具有一第一光学面与可接收该入射光之一第二光学面,该至少一微结构光学调制元件更包含:一扩散部,其系由可透光材料所制成且可扩散该入射光;一集光部,其系由可透光材料所制成且可集中该入射光,该扩散部与该集光部系彼此并列抵靠且位于该第一光学面上;以及一偏光元件,其系面对于该第二光学面。20.如申请专利范围第19项所述之光源装置,其中该扩散部系包含具有一结构深度之至少一曲面形线状单元。21.如申请专利范围第20项所述之光源装置,其中该曲面形线状单元结构深度系在10微米-500微米之范围内。22.如申请专利范围第19项所述之光源装置,其中该集光部系包含具有一顶角之至少一菱形单元。23.如申请专利范围第22项所述之光源装置,其中该顶角系在30度-140度之范围内。24.如申请专利范围第19项所述之光源装置,其中该第二光学面系为平滑光学表面。25.如申请专利范围第19项所述之光源装置,其中该第二光学面系为粗糙光学表面。26.如申请专利范围第19项所述之光源装置,其系于塑胶基板上涂布一层紫外线成形材料,然后由微结构模仁滚压成形,接着以紫外光照射固化者。27.如申请专利范围第19项所述之光源装置,其中该偏光元件系为一反射式偏光片。28.如申请专利范围第27项所述之光源装置,其中该反射式偏光片所透射及反射之光线的极化方向不同。29.如申请专利范围第27项所述之光源装置,其中该反射式偏光片所透射及反射之光线皆为线性偏极光。30.如申请专利范围第21项所述之光源装置,其中该偏光元件系为复数个等间距排列之光栅单元,该光栅单元系具有一线宽以及一线高。31.如申请专利范围第30项所述之光源装置,其中该线宽系大于0奈米且小于200奈米。32.如申请专利范围第30项所述之光源装置,其中该线高系大于50奈米且小于500奈米。33.如申请专利范围第30项所述之光源装置,其中该线宽除以(该线宽加该间距)之値系为5%-95%。34.如申请专利范围第30项所述之光源装置,其中该光栅单元系由金属所制成。35.如申请专利范围第34项所述之光源装置,其中该金属系为铝。36.如申请专利范围第34项所述之光源装置,其中该金属系为银。37.如申请专利范围第19项所述之光源装置,其系包含两微结构光学调制元件,该等微结构光学调制元件系彼此重叠且呈小于90度之交角。38.如申请专利范围第19项所述之光源装置,其中该第二光学面系为与基板一体成形之粗糙面者。39.如申请专利范围第19项所述之光源装置,其中该第二光学面系为于基板上涂布一层粗糙面者。图式简单说明:图一A系为一先前技术之示意图;图一B系为另一先前技术之示意图;图二A系为一习知光偏极转换模组之示意图;图二B系为另一习知光偏极转换模组之示意图;图三系为结合习知增光片与偏光片之显示模组之示意图;图四A系为菱形透镜之光学特性示意图;图四B系为曲面形线状之光学特性示意图;图四C系为本发明中之微结构光学调制元件之横剖面图;图五系为本发明中之微结构光学调制元件之加工示意图;图六A系为本发明中之微结构光学调制元件之一变化实施例之示意图;图六B系为本发明中之微结构光学调制元件之另一变化实施例之示意图;图七A系为本发明增亮模组应用于光源装置时之横剖面示意图;图七B系为本发明增亮模组应用于光源装置时之横剖面示意图,其系显示另一实施例;图八系为使用两片微结构光学调制元件之堆叠示意图;图九系为具有次波长结构之偏光元件之示意图;图十系为本发明中之微结构光学调制元件之横剖面图,其系显示另一实施例;以及图十一系为本发明中之微结构光学调制元件之横剖面图,其系显示又另一实施例。
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