多层金属层半导体元件及其制造方法

摘要

所述之结构及方法可减缓置故于半导体元件膜层上之结构的机械应力效应。特别的是，所述之结构和方法可避免消减蚀刻中止层和其他半导体元件膜层间的化学键。所述之方法和结构系利用不同之结构且／或制程来形成元件中之蚀刻中止层。