包含多功函数金属氮化物闸极的MOS电晶体、包含此MOS电晶体的CMOS积体电路以及其制造方法MOS TRANSISTOR INCLUDING MULTI-WORK FUNCTION METAL NITRIDE GATE ELECTRODE, CMOS INTEGRATED CIRCUIT DEVICE INCLUDING SAME, AND RELATED METHODS OF MANUFACTURE

摘要

本发明提供一种包含多功函数金属氮化物闸极的MOS电晶体。该MOS电晶体包括半导体基底及形成在半导体基底上的中间闸极。中间闸极是由金属氮化物层所形成。源极边闸极及汲极边闸极会形成在中间闸极的个别对边上。其中，源极及汲极边闸极是由包含电负度低于氮的第一杂质或电负度度高于氮的第二杂质之掺杂金属氮化物所组成。