发明名称 |
改良之DDR-II DRAM资料路径IMPROVED DDR II DRAM DATA PATH |
摘要 |
本发明系提供技术及电路,藉以支援记忆体阵列及外部资料焊垫间资料交换所需要之切换操作。在写入路径中,这种切换操作可包括:闩入及组装于单一资料焊垫上所序列接收之许多资料位元;基于存取模式(举例来说,交错模式或序列模式)之类型而重新排序这些资料位元;以及,基于存取储存所位置之晶片编制(举例来说,X4、X8、及X16)而实施搅乱操作。在读取路径中,可实施类似操作(利用反向顺序),进而组装资料以经由装置读取。 |
申请公布号 |
TW200638435 |
申请公布日期 |
2006.11.01 |
申请号 |
TW095100527 |
申请日期 |
2006.01.05 |
申请人 |
英飞凌科技股份有限公司;南亚科技股份有限公司 NANYA TECHNOLOGY CORPORATION 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |
发明人 |
卡雷德费奇罗丹;柳世贞 |
分类号 |
G11C8/00(2006.01);G06F12/06(2006.01) |
主分类号 |
G11C8/00(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
蔡清福 |
主权项 |
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地址 |
德国 |