半导体元件及其制造方法

摘要

一种半导体元件。一P型带形／环形区系较佳沿着重掺杂源极／汲极区之通道侧边缘形成，以中和N型态物质之扩散。一扩散阻滞区系藉由至少实质上重叠或延伸出P型带形／环形区和N＋源极／汲极区之通道侧，以阻滞N型和P型掺杂物。