发明名称 |
磁性记忆单元之阵列以及辨别阵列中受选取之磁性记忆单元的逻辑状态的方法 |
摘要 |
一种对于磁性记忆单元之写入与读取之非破坏性方法,包括对于对应于受选取之磁性记忆单元的受选取之读取线进行取样以获得第一信号,施加磁场至该受选取之磁性记忆单元,对于该受选取之读取线进行取样以获得第二信号,比较该第一信号与第二信号以辨别该受选取之磁性记忆单元的逻辑状态。 |
申请公布号 |
TW200638420 |
申请公布日期 |
2006.11.01 |
申请号 |
TW094113450 |
申请日期 |
2005.04.27 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
林文钦;邓端理;赖理学;王昭雄;赖逢时 |
分类号 |
G11C11/15(2006.01);G11C11/4094(2006.01) |
主分类号 |
G11C11/15(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
洪澄文;颜锦顺 |
主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |