矽晶圆之制造方法

摘要

【课题】以进入I–丰富区域之拉晶成长条件来使矽单结晶拉晶成长时，在从矽单结晶之肩部到直筒部之顶部之间的部位，以晶格间型缺陷为起点，而不会发生滑移。【解决手段】从肩部10A到直筒部10B之顶部之间的范围内，为使滑移不会发生，使从矽单结晶10之肩部到10A到直筒部10B之顶部之间的部位之氧浓度Oi，系在以晶格间型缺陷为起点，滑移不会发生之既定浓度以上为条件，其特征在于：具体而言，系以9.0×10^17atoms／cm^3以上为条件，来将矽单结晶10拉晶。