| 主权项 |
1.一种以半导体量子点加强萤光效率之高分子发 光二极体,其材料系为一导入具表面改质之硫化镉 (S-CdS)于树枝状聚茀高分子PF-GX之奈米复材,该X为0, 1或2择其一,其化学结构如下: 其中,该 系为经表面改质之硫化镉(量子点);以及 该 系为树枝状聚茀发光高分子之侧链。 2.依据申请专利范围第1项所述之以半导体量子点 加强萤光效率之高分子发光二极体,其中,该X为0时 系为PF-G0,其侧链结构为-CH3。 3.依据申请专利范围第1项所述之以半导体量子点 加强萤光效率之高分子发光二极体,其中,该X为1时 系为单层的树枝状聚茀发光高分子PF- G1,其侧链结构为 。 4.依据申请专利范围第1项所述之以半导体量子点 加强萤光效率之高分子发光二极体,其中,该X为2时 系为双单层的树枝状聚茀发光高分子PF- G2,其侧链结构为 。 5.依据申请专利范围第1项所述之以半导体量子点 加强萤光效率之高分子发光二极体,其中,该奈米 复材之制造过程系包括: (a)将硫化镉经由硫苯修饰基进行表面改质; (b)将一以上之单体加以合成,再经由铃木式耦合( Suzuki coupling)与双硼化合物单体进行聚合;以及 (c)分别将(a)及(b)所形成之化合物藉由物理掺混进 行-交互作用反应结合,即可得到一奈米复材 。 6.依据申请专利范围第5项所述之以半导体量子点 加强萤光效率之高分子发光二极体,其中,该(a)所 形成之化合物系为具表面改质之硫化镉, 其化学结构系为 。 7.依据申请专利范围第5项所述之以半导体量子点 加强萤光效率之高分子发光二极体,其中,该(b)中 被合成之单体系至少包括 8.依据申请专利范围第5项所述之以半导体量子点 加强萤光效率之高分子发光二极体,其中,该(b)所 形成之化合物之化学结构为 图式简单说明: 第1图,系本发明之奈米复材之制程示意图。 第2A图,系本发明之步骤1之化学反应示意图。 第2B图,系本发明之步骤2之化学反应示意图。 第3图,系本发明之奈米复材于固态之吸收、光激 发光及量子效率对照图。 第4图,系本发明之高分子发光二极体之电激发光 谱图。 第5A图,系本发明之高分子发光二极体之电流密度 与电压关系示意图。 第5B图,系本发明之高分子发光二极体之亮度与电 压关系示意图。 |
