| 主权项 |
1.一种发光二极体结构,适于藉由一第一电压与一 第二电压驱动,该发光二极体结构包括: 一发光二极体晶片,具有一第一电极与一第二电极 ; 一静电放电保护电路,包括: 一第一型金氧半电晶体,具有一第一源/汲极与一 第一闸极;以及 一第二型金氧半电晶体,具有一第二源/汲极与一 第二闸极, 其中该第一电极、该第一源/汲极其中之一、该第 二源/汲极其中之一与该第一闸极耦接到该第一电 压,且该第二电极、该第一源/汲极其中另一、该 第二源/汲极其中另一与该第二闸极耦接到该第二 电压。 2.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构,其 中该第一电压大于该第二电压,而该第一型金氧半 电晶体系P型金氧半电晶体,且该第二型金氧半电 晶体系N型金氧半电晶体。 3.如申请专利范围第2项所述之发光二极体结构,其 中该第一型金氧半电晶体包括: 一p型基底; 一n型井区,位于该p型基底中;以及 一n型接触区,位于该n型井区中,其中该第一源/汲 极系配置于该n型井区中,而该第一闸极系配置于 该第一源/汲极之间的该p型基底上,且该n型接触区 耦接到该第一电压。 4.如申请专利范围第2项所述之发光二极体结构,其 中该第二型金氧半电晶体包括: 一p型基底;以及 一p型接触区,位于该p型基底中,其中该第二源/汲 极系配置于该p型基底中,而该第二问极系配置于 该第二源/汲极之间的该p型基底上,且该P型接触区 耦接到该第二电压。 5.如申请专利范围第2项所述之发光二极体结构,其 中该第一型金氧半电晶体与该第二型金氧半电晶 体系构成一互补金氧半电晶体,而该互补金氧半电 晶体包括: 一p型基底; 一n型井区,位于该p型基底中; 一n型接触区,位于该n型井区中,其中该第一源/汲 极系配置于该n型井区中,而该第一闸极系配置于 该第一源/汲极之间的该p型基底上,且该n型接触区 耦接到该第一电压;以及 一p型接触区,位于该p型基底中,其中该第二源/汲 极系配置于该p型基底中,而该第二闸极系配置于 该第二源/汲极之间的该p型基底上,且该p型接触区 耦接到该第二电压。 6.如申请专利范围第2项所述之发光二极体结构,其 中该第一电极为阳极,而该第二电极为阴极。 图式简单说明: 图1所绘示为依照本发明之较佳实施例的一种发光 二极体结构的示意图。 图2系绘示依照本发明之较佳实施例的发光二极体 结构的电路示意图。 图3系绘示依照本发明之较佳实施例的静电放电保 护电路的示意图。 图4系绘示依照本发明之另一较佳实施例的静电放 电保护电路的示意图。 图5系绘示依照本发明之较佳实施例的发光二极体 元件经覆晶封装后所得之覆晶式发光二极体封装 结构。 |
