| 主权项 |
1.一种形成电子装置闸极图案之方法,包括以下步 骤: 提供一基板,其上形成一第一光阻层; 进行一第一道微影制程,以形成一具有一第一宽度 之一第一图案于该基板上; 形成一第二光阻层,其覆盖该基板上之该第一图案 以及该第一光阻层;以及 进行一第二道微影制程,其与该第一道微影制程之 间具有一位移,以形成一具有一第二宽度之一第二 图案于该基板上; 其中,该第二宽度系小于该第一宽度。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该电子装 置系为一场效电晶体。 3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该基板系 为一半导体基板。 4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二图 案系为该闸极图案。 5.一种形成电子装置闸极图案之方法,包括以下步 骤: 提供一基板,其上依序形成一介电层与一第一光阻 层; 进行一第一道微影制程,以形成一具有一第一宽度 之一第一图案于该介电层上; 转移该第一图案至该基板上,以在该介电层内形成 一第二图案; 形成一第二光阻层,其覆盖该基板上之该第二图案 以及该介电层;以及 进行一第二道微影制程,其与该第一道微影制程之 间具有一位移,以形成一具有一第二宽度之一第三 图案于该基板上; 其中,该第二宽度系小于该第一宽度。 6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该电子装 置系为一场效电晶体。 7.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该基板系 为一半导体基板。 8.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该第二图 案系为该闸极图案。 9.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该介电层 系为一氧化物层。 10.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该介电 层系为一氮化物层。 11.一种形成电子装置闸极之方法,包括以下步骤: 提供一基板,其上形成一第一光阻层; 进行一第一道微影制程,以形成一具有一第一宽度 之一第一图案于该基板上; 形成一第二光阻层,其覆盖该基板上之该第一图案 以及该第一光阻层; 形成一第三光阻层于该第二光阻层上; 进行一第二道微影制程,其与该第一道微影制程之 间具有一位移,以形成一具有一第二宽度之第二图 案于该基板上;以及 形成一导电层,其与该基板接触; 其中,该第二宽度系小于该第一宽度。 12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该电子 装置系为一场效电晶体。 13.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该基板 系为一半导体基板。 14.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该第二 图案系为一闸极图案。 15.一种形成电子装置闸极之方法,包括以下步骤: 提供一基板,其上依序形成一介电层与一第一光阻 层;进行一第一道微影制程,以形成一具有一第一 宽度之第一图案于该介电层上; 转移该第一图案至该基板上,以在该介电层内形成 一第二图案; 形成一第二光阻层,其覆盖该基板上之该第二图案 以及该介电层; 形成一第三光阻层于该第二光阻层上; 进行一第二道微影制程,其与该第一道微影制程之 间具有一位移,以形成一具有一第二宽度之第三图 案于该基板上;以及 形成一导电层,其与该基板接触; 其中,该第二宽度系小于该第一宽度。 16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该电子 装置系为一场效电晶体。 17.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该基板 系为一半导体基板。 18.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该介电 层系为一氧化物层。 19.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该介电 层系为一氮化物层。 20.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该第三 图案系为一闸极图案。 图式简单说明: 图一A至图一D系描述一种习知形成电子装置闸极 图案之方法; 图二A至图二D系描述另一种习知形成电子装置闸 极图案之方法; 图三A至图三C系为根据本发明一具体实施例之形 成电子装置闸极图案之方法; 图四A至图四D系为根据本发明另一具体实施例之 形成电子装置闸极图案之方法; 图五A至图五D系为根据本发明一具体实施例之形 成电子装置闸极之方法;以及 图六A至图六E系为根据本发明另一具体实施例之 形成电子装置闸极之方法。 |
