| 主权项 |
1.一种藉由化学气相沉积法制造氮化矽薄膜之方 法,其特征为: 导入具下式的烃基胺基二矽烷 (R0)3-Si-Si-(R0)3 (I) 其中,每个R0分别选自氢原子,氯原子,及-NR1(R2)基团 (其中R1及R2每个分别选自氢原子及C1到C4烃基,其前 提是以R1及R2二者不可皆为氢原子为条件下)及至 少一R0为-NR1(R2)基团 及选自由氨,联胺,烷基联胺化合物类,及氢叠氮化 物所组成之族群中的含氮气体到装载有至少1个基 板的反应室中,及 藉由烃基胺基二矽烷化合物与含氮气体在反应温 度下进行反应以在基板上形成氮化矽薄膜。 2.根据申请专利范围第1项的制造方法,其特征为该 烃基胺基二矽烷化合物为化合物(I),其中每个R0为- NR1(R2)基团,R1为氢原子,及R2为C1到C4烃基。 3.根据申请专利范围第1或2项的制造方法,其中该 烃基胺基二矽烷化合物包含六(乙胺基)二矽烷。 4.根据申请专利范围第1或2项的制造方法,其特征 为导入反应室中之胺基二矽烷化合物与含氮气体 间的莫耳比为1:0到1:50;在反应室内的总压为0.1到10 Torr;且反应温度为-300℃到650℃。 5.根据申请专利范围第1或2项的制造方法,其特征 为烃基胺基二矽烷化合物系藉由注射载体气体至 液体形式之烃基胺基二矽烷化合物中以在载体气 体中夹带为气体,然后通过进料系统,并且供给入 反应室中。 6.根据申请专利范围第1或2项的制造方法,其特征 为使用蒸发器使烃基胺基二矽烷化合物蒸发,然后 经蒸发的烃基胺基二矽烷化合物通过进料系统,再 供给入反应室中。 7.根据申请专利范围第6项的制造方法,其特征为加 热该蒸发器至60℃到200℃的温度。 8.根据申请专利范围第5项的制造方法,其特征为维 持进料系统在25℃到-250℃的温度。 9.根据申请专利范围第6项的制造方法,其特征为维 持进料系统在25℃到-250℃的温度。 10.根据申请专利范围第1或2项的制造方法,其中反 应室系装载有1到250个安装于夹盘或晶圆舟上的半 导体基板。 11.一种藉由化学气相沉积法制造氮氧化矽薄膜之 方法,其特征为 导入具下式的烃基胺基二矽烷 (R0)3-Si-Si-(R0)3 (I) 其中,每个R0分别选自氢原子,氯原子,及-NR1(R2)基团 (其中R1及R2每个分别选自氢原子及C1到C4烃基,其前 提是以R1及R2二者不可皆为氢原子为条件)及至少 一R0为-NR1(R2)基团, 及选自由氨,联胺,烷基联胺化合物,及氢叠氮化物 所组成的族群中的含氮气体,及选自由NO,N2O,NO2,O2,O 3,H2O,及H2O2所组成的族群中的含氧气体到装载有至 少1个基板的反应室中,及 藉由将烃基胺基二矽烷化合物,含氮气体及含氧气 体在反应温度下进行反应以在基板上形成氮氧化 矽薄膜。 12.根据申请专利范围第11项的制造方法,其特征为 烃基胺基二矽烷化合物为化合物(I),其中每个R0为- NR1(R2)基团,R1为氢原子,及R2为C1到C4烃基。 13.根据申请专利范围第11或12项的制造方法,其中 该烃基胺基二矽烷化合物包含六(乙胺基)二矽烷 。 14.根据申请专利范围第11或12项的制造方法,其特 征为导入反应室中之烃基胺基二矽烷化合物与含 氮气体间的莫耳比为1:0到1:50;烃基胺基二矽烷化 合物与含氧气体间的莫耳比为50:1到1:10;反应室内 的总压为0.1到10Torr;且反应温度为-300℃到750℃。 15.根据申请专利范围第11或12项的制造方法,其特 征为烃基胺基二矽烷化合物系藉由注射载体气体 至液体形式之烃基胺基二矽烷化合物中以在载体 气体中夹带为气体,然后通过进料系统,并且供给 入反应室中。 16.根据申请专利范围第11或12项的制造方法,其特 征为使用蒸发器使烃基胺基二矽烷化合物蒸发,然 后经蒸发的烃基胺基二矽烷化合物通过进料系统, 并且供给入反应室中。 17.根据申请专利范围第16项的制造方法,其特征为 加热该蒸发器至60℃到200℃的温度。 18.根据申请专利范围第15项的制造方法,其特征为 维持进料系统在25℃到-250℃的温度。 19.根据申请专利范围第16项的制造方法,其特征为 维持进料系统在25℃到-250℃的温度。 20.根据申请专利范围第11或12项的制造方法,其中 反应室系装载有1到250个安装于夹盘或晶圆舟上的 半导体基板。 图式简单说明: 图1包含说明可用来进行本发明之CVD反应装置的实 施例之示意流程图。 图2包含说明可用来进行本发明之CVD反应装置的另 一实施例之示意流程图。 图3包含于合成实施例1中所合成的六(单烃基胺基) 二矽烷之质谱图。 |
