| 发明名称 | 多晶硅－绝缘层－多晶硅电容和高阻多晶硅器件及制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种多晶硅－绝缘层－多晶硅电容和高阻多晶硅器件及制作方法，晶体管多晶硅栅、PIP电容下极板和高阻多晶硅都在第一层多晶硅上完成，只有PIP电容的上极板是单独的第二层多晶硅。本发明利用PMOS源漏极的P型离子注入和PIP下极板的N型离子注入而获得所需的阻值，所以可节约一次离子注入和一次光刻。本发明结构简单，成本低，工艺稳定性好，有益提高产品的成品率。 | ||
| 申请公布号 | CN1855528A | 申请公布日期 | 2006.11.01 |
| 申请号 | CN200510025458.3 | 申请日期 | 2005.04.27 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 钱文生 |
| 分类号 | H01L29/00(2006.01);H01L29/92(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8234(2006.01);H01L21/265(2006.01) | 主分类号 | H01L29/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1、一种多晶硅-绝缘层-多晶硅电容和高阻多晶硅器件，在硅衬底上至少包含浅沟道隔离槽和晶体管栅氧化层，其特征在于：在晶体管栅氧化层上的第一层多晶硅分别形成晶体管多晶硅栅、PIP下极板、高阻多晶硅，在PIP下极板上形成PIP介质层和PIP上极板。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东川桥路1188号 | ||