| 发明名称 | 双极性晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 根据本发明方法使制造一种具有低基极连接电阻、低缺陷密度以及改良的可缩放性的双极性晶体管为可行。在此情况下，要了解可缩放性是指发射极窗的侧壁缩放和基极宽度(低温度预算)的垂直缩放，在基极区域，该温度预算可被保持为低的，因不需要植入以减少基极连接电阻。而且，伴随点状缺陷的困难被大部份避免。 | ||
| 申请公布号 | CN1283012C | 申请公布日期 | 2006.11.01 |
| 申请号 | CN02804518.1 | 申请日期 | 2002.02.04 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | M·弗拉诺斯;T·梅斯特;H·谢弗;R·斯坦尔 |
| 分类号 | H01L29/737(2006.01);H01L21/331(2006.01) | 主分类号 | H01L29/737(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种制造双极性晶体管的方法，包括下列步骤：a)提供一种半导体基材，所述半导体基材具有一集电极、位于所述集电极上的一基极及位于所述基极上的一轻掺杂发射极层；b)将一种屏蔽供应至所述轻掺杂发射极层；c)借助所述屏蔽，对所述轻掺杂发射极层施行湿化学蚀刻，以部分移除覆盖于所述基极上的轻掺杂发射极层，并形成一种轻掺杂发射极；d)在所述基极的未覆盖区域上形成基极连接；e)移除所述屏蔽并形成一重掺杂发射极。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||