发明名称 异质结双极晶体管及其制造方法
摘要 提供一种异质结双极晶体管,在高浓度n型的第一子集电极层(102)上,依次形成由带隙小的材料构成的高浓度n型的第二子集电极层(108)、i型或低浓度n型的集电极层(103)、高浓度p型的基极层(104)、由带隙大的材料构成的n型发射极层(105)、高浓度n型的发射极帽盖层(106)、和由带隙小的材料构成的高浓度n型的发射极接触层(107)。从发射极接触层(107)引出兼作发射极电极的布线(115A),从发射极层(105)引出兼作基极电极的布线(115B),从第二子集电极层(108)引出兼作集电极电极的布线(115C)。这样,可以缩小发射极尺寸,并且能够减少制造成本。
申请公布号 CN1855533A 申请公布日期 2006.11.01
申请号 CN200610073568.1 申请日期 2006.04.10
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 宫岛贤一;村山启一;宫本裕孝
分类号 H01L29/737(2006.01);H01L21/331(2006.01) 主分类号 H01L29/737(2006.01)
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 汪惠民
主权项 1、一种异质结双极晶体管,包括:高浓度n型的第一子集电极层;高浓度n型的第二子集电极层,其在所述第一子集电极层上形成,并且由带隙比所述第一子集电极层小的材料构成;i型或低浓度n型的集电极层,其在所述第二子集电极层中的规定部分上形成;高浓度p型的基极层,其在所述集电极层上形成;n型的发射极层,其在所述基极层上形成,并且由带隙比所述基极层大的材料构成;高浓度n型的发射极帽盖层,其在所述发射极层中的规定部分上形成;高浓度n型的发射极接触层,其在所述发射极帽盖层上形成,并且由带隙比所述发射极帽盖层小的材料构成;第一布线,其从所述发射极接触层引出,并且包含成为发射极电极的部分;第二布线,其从所述发射极层中的没有形成所述发射极帽盖层的部分引出,并且包含成为基极电极的部分;和第三布线,其从所述第二子集电极层中的没有形成所述集电极层的部分引出,并且包含成为集电极电极的部分。
地址 日本大阪府