发明名称 |
异质结双极晶体管及其制造方法 |
摘要 |
提供一种异质结双极晶体管,在高浓度n型的第一子集电极层(102)上,依次形成由带隙小的材料构成的高浓度n型的第二子集电极层(108)、i型或低浓度n型的集电极层(103)、高浓度p型的基极层(104)、由带隙大的材料构成的n型发射极层(105)、高浓度n型的发射极帽盖层(106)、和由带隙小的材料构成的高浓度n型的发射极接触层(107)。从发射极接触层(107)引出兼作发射极电极的布线(115A),从发射极层(105)引出兼作基极电极的布线(115B),从第二子集电极层(108)引出兼作集电极电极的布线(115C)。这样,可以缩小发射极尺寸,并且能够减少制造成本。 |
申请公布号 |
CN1855533A |
申请公布日期 |
2006.11.01 |
申请号 |
CN200610073568.1 |
申请日期 |
2006.04.10 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
宫岛贤一;村山启一;宫本裕孝 |
分类号 |
H01L29/737(2006.01);H01L21/331(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/737(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
汪惠民 |
主权项 |
1、一种异质结双极晶体管,包括:高浓度n型的第一子集电极层;高浓度n型的第二子集电极层,其在所述第一子集电极层上形成,并且由带隙比所述第一子集电极层小的材料构成;i型或低浓度n型的集电极层,其在所述第二子集电极层中的规定部分上形成;高浓度p型的基极层,其在所述集电极层上形成;n型的发射极层,其在所述基极层上形成,并且由带隙比所述基极层大的材料构成;高浓度n型的发射极帽盖层,其在所述发射极层中的规定部分上形成;高浓度n型的发射极接触层,其在所述发射极帽盖层上形成,并且由带隙比所述发射极帽盖层小的材料构成;第一布线,其从所述发射极接触层引出,并且包含成为发射极电极的部分;第二布线,其从所述发射极层中的没有形成所述发射极帽盖层的部分引出,并且包含成为基极电极的部分;和第三布线,其从所述第二子集电极层中的没有形成所述集电极层的部分引出,并且包含成为集电极电极的部分。 |
地址 |
日本大阪府 |