发明名称 |
化合物半导体开关电路装置 |
摘要 |
在化合物半导体开关电路装置中,2连开关电路装置的有用性是公认的,但存在组件插针数增大、芯片尺寸增大等问题。解决的方法是:用8只插针实现用1组互补信号的控制信号可以动作的2电路2连开关元件,内藏入芯片尺寸组件内。把开关电路装置的2只电阻配置在FET和电极衬垫之间,通过使一方的电阻与栅极金属层交叉,实现芯片尺寸的小型化和组件尺寸的小型化。 |
申请公布号 |
CN1283044C |
申请公布日期 |
2006.11.01 |
申请号 |
CN01143816.9 |
申请日期 |
2001.12.14 |
申请人 |
三洋电机株式会社 |
发明人 |
浅野哲郎;土屋等;平井利和 |
分类号 |
H03K17/693(2006.01);H01L29/772(2006.01);H04B1/44(2006.01) |
主分类号 |
H03K17/693(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
陈景峻;王忠忠 |
主权项 |
1.一种化合物半导体开关电路装置,其特征在于,包含:在沟道层表面设置源极、栅极及漏极的第1、第2及第3、第4场效应晶体管,在前述第1、第2、第3、第4场效应晶体管的各自的漏极连接的第1、第2、第3、第4输入端子,和在前述第1、第2场效应晶体管的各自的源极连接的第1公共输出端子,和在前述第3、第4场效应晶体管的各自的源极连接的第2公共输出端子,或者在前述第1、第2、第3、第4场效应晶体管的各自的源极连接的第1、第2、第3、第4输入端子,和在前述第1、第2场效应晶体管的各自的漏极连接的第1公共输出端子,和在前述第3、第4场效应晶体管的各自的漏极连接的第2公共输出端子,在前述第1、第3场效应晶体管的前述栅极连接的第1控制端子,在前述第2、第4场效应晶体管的前述栅极连接的第2控制端子,和连接前述第1、第3场效应晶体管各自的栅极和前述第1控制端子的连接装置,和连接前述第2、第4场效应晶体管各自的栅极和前述第2控制端子的连接装置,并在前述第1、第2控制端子上施加控制信号。 |
地址 |
日本大阪府 |