| 发明名称 | 半导体元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体元件的制造方法，此方法为提供一基底，基底中已形成有一沟槽，且沟槽中已形成有一沟槽式元件，而沟槽式元件包括设置于沟槽侧壁的二栅极结构、设置于二栅极结构之间的基底中的一掺杂区以及设置于两栅极结构表面的栅间介电层，其中掺杂区表面形成有第一原生氧化层。然后，在含有氮气的环境中，进行第一热处理工艺，以去除第一原生氧化层，接着再形成一导体层以填满沟槽。 | ||
| 申请公布号 | CN1855378A | 申请公布日期 | 2006.11.01 |
| 申请号 | CN200510065590.7 | 申请日期 | 2005.04.18 |
| 申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 杨立民;王炳尧 |
| 分类号 | H01L21/30(2006.01);H01L21/76(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L21/3105(2006.01);H01L21/324(2006.01);H01L21/3205(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8234(2006.01) | 主分类号 | H01L21/30(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种半导体元件的制造方法，包括：在一基底上形成一沟槽，其中该沟槽表面形成有一第一原生氧化层；在含有氮气的环境中，进行一第一热处理工艺，以去除该第一原生氧化层；以及形成一导体层以填满该沟槽。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||