一种电可擦洗可编程只读存储器及其制作方法

摘要

一种形成于基板上的电可擦洗可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read－Only Memory；EEPROM)，包括一基板，其表面设有第一半导体层以及第二半导体层，二半导体层之间以一沟道加以隔离，其中在第一半导体层的两侧具有第一源极区以及第一漏极区，其上方则具有一第一介电层，一第一浮栅形成于第一介电层之上，且第二半导体层具有第二源极区和第二漏极区其上方则具有一第二介电层，一第二浮栅形成于第二介电层之上并与第一浮栅电连接。

主权项

1、一种电可擦洗可编程只读存储器，其特征在于，至少包括：一基板；一第一半导体层，形成于基板上，该第一半导体层的两侧具有一第一源极区及一第一漏极区；一第二半导体层，形成于基板上并与第一半导体层隔离而形成一沟道；一介电层，形成于第一半导体层以及第二半导体层上；一第一浮栅，形成于介电层之上并对应第一半导体层；以及一第二浮栅，形成于介电层之上且对应第二半导体层，并与第一浮栅电连接。