| 发明名称 | 沟槽式栅介电层的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种沟槽式栅介电层的形成方法，此方法先提供一基底，且基底中已形成有沟槽，然后进行一原位蒸汽产生氧化工艺，以于沟槽表面形成牺牲氧化层。接着，移除牺牲氧化层。之后，进行低压化学气相沉积工艺，以于沟槽表面形成栅介电层。 | ||
| 申请公布号 | CN1855376A | 申请公布日期 | 2006.11.01 |
| 申请号 | CN200510065598.3 | 申请日期 | 2005.04.18 |
| 申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 黄明山;许汉杰;赖亮全 |
| 分类号 | H01L21/285(2006.01);H01L21/443(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8234(2006.01) | 主分类号 | H01L21/285(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种沟槽式栅介电层的形成方法，包括：提供一基底，且该基底中已形成有一沟槽；进行一原位蒸汽产生氧化工艺，以于该沟槽表面形成一牺牲氧化层；移除该牺牲氧化层；以及进行一低压化学气相沉积工艺，以于该沟槽表面形成一栅介电层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||