发明名称 |
纳米级陶瓷材料掺杂剂、陶瓷电容器介质材料及二者的制备方法 |
摘要 |
纳米级陶瓷材料掺杂剂、陶瓷电容器介质材料及二者的制备方法,属于电子材料技术领域。本发明的纳米级陶瓷材料掺杂剂,其配方表示为:aA·bB·cC·dR<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>·eSiO<SUB>2</SUB>;其中,A包括Na<SUB>2</SUB>O;B包括MgO、CaO之一种或多种;C包括MnO<SUB>2</SUB>、Co<SUB>3</SUB>O<SUB>4</SUB>之一种或多种;R包括Y、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu之一种或多种;其中,a、b、c、d、e是系数,以mol%计算,0≤a≤10%,0≤b≤25%,0≤c≤15%,20%≤d≤60%,10%≤e≤50%,b与c不同时为0。本发明的方法得到的介质材料初始颗粒超细,符合MLCC大容量、小型化的趋势,材料配方可调,烧结温度低;介电常数高,介质损耗小,制成的材料均匀性好,性能重复性好,有利于提高电容器的可靠性。 |
申请公布号 |
CN1854105A |
申请公布日期 |
2006.11.01 |
申请号 |
CN200510048278.7 |
申请日期 |
2005.12.30 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
周晓华;张树人;李波;朱文奕;钟朝位;杨成韬 |
分类号 |
C04B35/63(2006.01);C04B35/468(2006.01);C04B35/622(2006.01);H01L41/187(2006.01);H01G4/12(2006.01) |
主分类号 |
C04B35/63(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1、纳米级陶瓷材料掺杂剂,其特征在于,其配方表示为: aA·bB·cC·d R2O3·e SiO2 其中,A代表碱金属氧化物,包括Na2O;B代表碱土金属氧化物,包括MgO、CaO之一种或多种;C代表过渡金属氧化物,包括MnO2、Co3O4之一种或多种;R代表稀土金属,包括Y、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu之一种或多种;其中,a、b、c、d、e是系数,以mol%计算,0≤a≤10%,0≤b≤25%,0≤c≤15%,20%≤d≤60%,10%≤e≤50%,b与c不同时为0。 |
地址 |
610054四川省成都市建设北路一段4号 |