一种晶体管的制造工艺

摘要

本发明属集成电路制造工艺技术领域。为了优化硅化物模块工艺，在栅极和源漏极区域生长不同厚度硅化物，在源漏区域的硅化物厚度较薄以满足结漏电的要求，在栅极区域的硅化物厚度较厚以满足低电阻的要求。为此需要用介质膜在生长某一种厚度硅化物的同时覆盖住需要保护的有源区区域，本发明可以多种实现的工艺步骤，根据需要加以选择。

主权项

1.一种晶体管的制造工艺，其特征在于在栅极区域沉积相对较厚的硅化物，在源漏区域沉积相对较薄的硅化物，前者与后者的厚度之比大于1，小于10；其步骤是：通过淀积介质膜作为掩膜，首先挡住有源区域中源漏区域，通过金属溅射和退火使栅极区域形成硅化物后，再淀积介质膜挡住已形成硅化物的栅极区域，经刻蚀暴露出源漏区域后，再通过金属溅射和退火使源漏区域形成比栅极区域硅化物薄的另一厚度硅化物；或者通过淀积介质膜作为掩膜，首先挡住有源区域中栅极区域，通过金属溅射和退火使源漏区域形成硅化物后，再淀积介质膜挡住已形成硅化物的源漏区域，经刻蚀暴露出栅极区域后，再通过金属溅射和退火使栅极区域形成比源漏区域硅化物厚的另一厚度硅化物。