发明名称 |
非挥发性存储器及其操作方法 |
摘要 |
一种非挥发性存储器,具有排列成阵列的多个存储单元行。各个存储单元行由具有电荷陷入层的多个存储单元与行选择单元所构成,各存储单元之间无间隙且存储单元与行选择单元亦无间隙。源极区设置于串接的存储单元的一侧的基底中。漏极区设置于行选择单元一侧的基底中。多条选择线连接同一列的行选择单元的栅极。多条字线连接同一列的存储单元的栅极。多条源极线连接同一列的源极区。多条次位线连接同一行的漏极区。多条主位线分别连接多条次位线。多个次位线选择单元分别设置于次位线与主位线之间。 |
申请公布号 |
CN1855502A |
申请公布日期 |
2006.11.01 |
申请号 |
CN200510065577.1 |
申请日期 |
2005.04.18 |
申请人 |
力晶半导体股份有限公司 |
发明人 |
杨青松;翁伟哲;卓志臣 |
分类号 |
H01L27/115(2006.01);G11C16/02(2006.01);H01L21/8247(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;侯宇 |
主权项 |
1、一种非挥发性存储器,包括:一基底;一主位线,设置于该基底上:一次位线选择单元;一次位线,透过该次位线选择单元连接至该主位线;多条字线,以垂直于该次位线的方向平行排列,其中该些字线与该次位线的交点对应一存储单元行;一行选择单元,设置于该存储单元行的外侧;一第一掺杂区,设置于该行选择单元外侧的基底中,其中该存储单元行透过该第一掺杂区连接至该次位线;以及一第二掺杂区,设置于该存储单元行另一侧的基底中,其中该存储单元行包括:多个第一存储单元,该些第一存储单元与该行选择单元彼此以一间隙相隔;以及多个第二存储单元,各自设置于该间隙中,并透过多个绝缘间隙壁与该多个第一存储单元及该行选择单元串接在一起。 |
地址 |
台湾省新竹市 |