发明名称 |
以添加物改善金属硅化物热稳定度的方法 |
摘要 |
本发明是有关于一种以添加物改善金属硅化物热稳定度的方法。实施例包括:形成多层堆叠排列结构,其中此多层堆叠排列结构包括位于基材上的添加物层,和位于添加物层上的金属层;以及对多层堆叠排列结构进行退火,藉以在基材上形成金属硅化物层,其中此金属硅化物层包含来自于添加物层的添加物。其他实施例至少包括蚀刻多层堆叠排列结构,以移除不反应层。在另一实施例中,多层堆叠排列结构包括位于基材上的金属层、位于金属层上的添加物层,以及可选择性地位于添加物层上的氧阻障层。根据上述实施例所形成的金属硅化物,在高温制程中特别能够抵抗结块现象。 |
申请公布号 |
CN1855388A |
申请公布日期 |
2006.11.01 |
申请号 |
CN200510124394.2 |
申请日期 |
2005.11.29 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
吴启明;周士惟;林正堂;张志维;眭晓林 |
分类号 |
H01L21/3205(2006.01);H01L21/3213(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/3205(2006.01) |
代理机构 |
北京中原华和知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
寿宁;张华辉 |
主权项 |
1、一种以添加物改善金属硅化物热稳定度的方法,其特征在于其包括以下步骤:于一基材上形成一多层堆叠排列结构,其中该多层堆叠排列结构至少包括一添加物层以及一金属层;对该多层堆叠排列结构进行一热制程,藉以在该基材上形成一金属硅化物层,其中该金属硅化物层至少包括来自该添加物层的一添加物;以及蚀刻该多层堆叠排列结构,以去除一未反应材料层。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号 |