发明名称 半导体集成电路器件
摘要 本发明提供一种具有低成本、可在低电压下高速工作的I/O电路的半导体集成电路器件,在I/O电路中,当使I/O电压vcc(例如3.3V)降低到vcc_18(例如1.8V)时,引起速度变差的部分是电平转换单元、和用于驱动大型主缓冲器的前置缓冲器部分。着眼于这一情况,通过对升电平转换器(LUC)和前置缓冲器(PBF)的电路施加高电压(电压vcc),来以低成本实现可在低电压下高速工作的I/O电路。
申请公布号 CN1855725A 申请公布日期 2006.11.01
申请号 CN200610066681.7 申请日期 2006.04.19
申请人 株式会社瑞萨科技 发明人 菅野雄介;田中一雄;丰岛俊辅;户羽健夫
分类号 H03K19/0185(2006.01);H01L27/02(2006.01) 主分类号 H03K19/0185(2006.01)
代理机构 北京市金杜律师事务所 代理人 季向冈
主权项 1.一种半导体集成电路器件,具有在第1电源电压下工作的电路、和在比上述第1电源电压高的第2电源电压下工作的输出电路,所述半导体集成电路器件的特征在于:具有转换电路,当从在上述第1电源电压下工作的电路向在上述第2电源电压下工作的输出电路传送信号时,将信号电压振幅暂时放大到比上述第2电源电压高的第3电源电压,然后,将其转换成具有上述第2电源电压的振幅的信号。
地址 日本东京都