半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置。在现有的半导体装置中，存在有不能提高为保护元件不受过电压破坏而设置的保护二极管的耐压特性的问题。在本发明的半导体装置中，在衬底(2)上的外延层(3)上形成有元件保护用的保护二极管(1)。在外延层(3)的表面上形成有肖特基势垒用金属层(14)，并在肖特基势垒用金属层(14)的端部(20)下方形成有P型扩散层(9)。并且，在比P型扩散层(9)靠近阴极区域侧形成浮置状态的P型扩散层(10、11)，与施加了阳极电位的金属层(18)电容耦合。通过该结构，减小耗尽层的大的曲率变化，提高保护二极管(1)的耐压特性。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：反向导电类型的第一及第二阳极扩散层，其在一导电类型的半导体层上分隔而形成；一导电类型的阴极扩散层，其形成在所述半导体层上；绝缘层，其形成在所述半导体层上面；阳极电极，其经由形成于所述绝缘层上的接触孔与所述第一及第二阳极扩散层连接，且与所述第一阳极扩散层和第二阳极扩散层之间的所述半导体层肖特基接合；反向导电类型的第三阳极扩散层，其在所述第二阳极扩散层和所述阴极扩散层之间的所述半导体层上经由所述绝缘层与所述阳极电极或连接所述阳极电极的金属层电容耦合。