在半导体衬底中蚀刻沟槽的方法

摘要

本发明涉及一种在半导体衬底中蚀刻沟槽的方法。更确切地说，本发明涉及一种蚀刻深沟槽的方法，例如纵横比为30和更高的深沟槽。根据本发明的实施方案，在半导体衬底上蚀刻沟槽的方法包括其中将沟槽蚀刻至第一深度的第一蚀刻循环。之后，在所述沟槽的侧壁的至少上部沉积保护衬层。所述保护衬层包括无机材料。经过至少一次第二蚀刻循环，该沟槽被蚀刻至其最终深度。

主权项

1、一种在半导体衬底内蚀刻沟槽的方法，该方法包括：实施第一蚀刻循环，其中将沟槽蚀刻至第一深度；至少在所述沟槽的侧壁的上部沉积保护衬层，其中所述保护衬层由无机材料构成；以及实施至少一次第二蚀刻循环，其中将所述沟槽蚀刻至最终深度。