发明名称 |
一种新型真空镀膜机 |
摘要 |
本实用新型提供一种新型真空镀膜机,包括有磁控溅射靶的反应磁控溅射镀膜机,还包括放置在反应磁控溅射镀膜机中的一只或多只定向发射的细长形电弧离子源。电弧离子源的布置位置与工件拉开较远距离,其蒸发面距工件旋转区域最近处大于100毫米,将电弧液滴减少和减小。电弧离子源蒸发方向指向抽气口一侧的镀膜腔半周,并用挡板或孔隙适当的栅网,围成半封闭的局部空间,从而以低成本将电弧液滴减少和减小,以便在工业上获得优质薄膜。这种镀膜机的突出特点是离化率高、防止靶材中毒、沉积速率高,所成薄膜具有结合力强、组织结构致密、表面光洁等特性。 |
申请公布号 |
CN2832829Y |
申请公布日期 |
2006.11.01 |
申请号 |
CN200520017267.8 |
申请日期 |
2005.04.27 |
申请人 |
北京实力源科技开发有限责任公司;刘阳 |
发明人 |
刘阳 |
分类号 |
C23C14/35(2006.01);C23C14/22(2006.01) |
主分类号 |
C23C14/35(2006.01) |
代理机构 |
北京中誉威圣知识产权代理有限公司 |
代理人 |
丛芳;廖立全 |
主权项 |
1.一种新型真空镀膜机,包括有磁控溅射靶的反应磁控溅射镀膜机,其特征在于:还包括一只或多只定向发射的细长形电弧离子源,放置在反应磁控溅射镀膜机中。 |
地址 |
100070北京市丰台区科学城邮局4分箱 |