| 发明名称 | 半导体设备和其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体设备，其中具有平整主表面的半导体膜被用作有源层。具有平整主表面的半导体膜(5)其rms小于10nm，P-V值小于70nm，它们分别显示表面粗糙度，该膜通过含有浓度为百分之几、优选是0.1-10原子％的锗的硅膜结晶并用激光照射该膜而形成。在采用促进结晶的金属元素进行结晶的情况下，获得了晶体取向率以及平整度高的半导体膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1282989C | 申请公布日期 | 2006.11.01 |
| 申请号 | CN02131506.X | 申请日期 | 2002.07.02 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 笠原健司;山崎舜平 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 梁永 |
| 主权项 | 1.一种半导体设备，包括：薄膜晶体管，包括在绝缘膜上形成的半导体层，其中半导体层包括硅作为主要成分并含有锗，作为有源层，并且其中有源层具有小于70nm的表面平整度的峰-谷值，它表示其主表面的表面粗糙度。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||