| 发明名称 | 形成集成功率器件的方法和结构 | ||
| 摘要 | 在一种实施方式中，在具有其它晶体管的半导体衬底上形成垂直功率晶体管。在垂直功率晶体管下面的一部分半导体被掺杂成为垂直功率晶体管提供低导通电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN1855490A | 申请公布日期 | 2006.11.01 |
| 申请号 | CN200610071047.2 | 申请日期 | 2006.03.31 |
| 申请人 | 半导体元件工业有限责任公司 | 发明人 | 弗兰西恩·Y.·罗伯;斯蒂芬·P.·罗伯;普拉赛德·万卡特拉曼;兹尔·豪森 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1、一种集成功率器件，包括：具有第一表面的第一导电类型的半导体衬底；在半导体衬底第一表面上的外延层，该外延层具有与半导体衬底的第一表面相对的第一表面；在外延层第一表面上形成的垂直功率晶体管，该垂直功率晶体管具有沟道区；以及具有第一导电类型并在外延层内的第一掺杂区，该第一掺杂区在至少一部分垂直功率晶体管的下面，其中第一掺杂区没有延伸到外延层的第一表面。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那 | ||