有机晶体管、制造半导体器件和有机晶体管的方法

摘要

目的在于形成稠密且具有强绝缘电阻特性的高质量栅绝缘膜，并提出一种其中几乎没有隧道漏电流的高可靠性有机晶体管。本发明的有机晶体管的一个模式具有以下步骤：通过使用稠密等离子体用等离子激活来激活氧(或含氧的气体)或氮(或含氮的气体)等形成将变为栅极的导电层而形成栅绝缘膜，以及直接与将被绝缘的变为栅极的导电层的一部分反应，等离子体中的电子密度是10¹¹cm^－3或更大，且电子温度在0.2eV至2.0eV的范围内。

主权项

1.一种用于制造包括有机晶体管的半导体器件的方法，该用于制造半导体器件的方法包括：用等离子体形成有机晶体管的绝缘膜，其中电子密度是1011cm-3或更大，电子温度在0.2eV至2.0eV的范围内；和形成包括有机半导体材料的半导体层，以使半导体层与绝缘膜接触。