| 发明名称 | 半导体存储设备 | ||
| 摘要 | 公开了一种半导体存储设备。在存储单元通过选择特定的字线而读取所存储的数据的过程中，与所选择的字线相邻的字线被同时选择，或两个位线被同时连接到读出放大器的输入端，这样增加了读出放大器的两个输入端之间的电压差。因此，提高了读取容限，提高了读取操作的精度和改善了存储设备的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN1283005C | 申请公布日期 | 2006.11.01 |
| 申请号 | CN03124884.5 | 申请日期 | 2003.09.29 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 崔国善 |
| 分类号 | H01L27/00(2006.01);G11C11/34(2006.01);G06F13/00(2006.01) | 主分类号 | H01L27/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 邵亚丽;马莹 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储设备，包括：存储单元阵列，包括连接存储单元的多个字线和多个位线；行解码器，用于在读操作期间根据地址信号产生字线选择信号，来同时选择多个字线中彼此相邻的两个字线；列解码器，用于选择多个位线之一；多个读出放大器，用于读出存储在由行解码器和列解码器选择的存储单元的数据。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||