| 发明名称 | 钽酸锂基板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明特征在于，将用丘克拉斯基法生长的钽酸锂晶体加工成基板状态所得到的LT基板，包埋在Al和Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>的混合粉末中，在350～600℃的保持温度下进行热处理，来制造出将体积电阻率控制在超过10<SUP>8</SUP>Ω·cm而不足10<SUP>10</SUP>Ω·cm的范围的钽酸锂基板。所得到的基板中不存在热电性，并且，从无色透明变成有色不透明的同时，充分具有作为压电材料的特性。 | ||
| 申请公布号 | CN1856598A | 申请公布日期 | 2006.11.01 |
| 申请号 | CN200480027666.0 | 申请日期 | 2004.10.07 |
| 申请人 | 住友金属矿山株式会社 | 发明人 | 梶谷富男;角田隆 |
| 分类号 | C30B29/30(2006.01);C30B33/02(2006.01) | 主分类号 | C30B29/30(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 高龙鑫;王玉双 |
| 主权项 | 1.一种钽酸锂基板，其特征在于，其体积电阻率被控制在超过108Ω·cm而不足1010Ω·cm的范围。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||