半导体元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体元件及其制造方法。一P型带形/环形区是较佳沿着重掺杂源极/漏极区的沟道侧边缘形成，以中和N型态物质的扩散。一扩散阻滞区是通过至少实质上重叠或延伸出P型带形/环形区和N+源极/漏极区的沟道侧，以阻滞N型和P型掺杂物。本发明所述半导体元件及其制造方法可降低片电阻，亦可减少多晶硅栅极空乏效应，且导致较佳的栅极氧化膜耐压和起始电压控制。另外，扩散阻滞可达成高浓度的栅极、LDD区和N+源极/漏极区，且因此增加饱和电流。

主权项

1.一种半导体元件，所述半导体元件包括：一半导体基底，具有一沟道区；一栅极介电结构，位于该沟道区上方；一栅极，位于该栅极介电结构上；一淡掺杂源极/漏极区，实质上对准于该栅极的边缘，该淡掺杂源极/漏极区包括一N型掺杂物；一重掺杂源极/漏极区，位于该半导体基底中，该重掺杂源极/漏极区包括一N型掺杂物，且和沟道区的距离较淡掺杂源极/漏极区和沟道区的距离为远；一P型袋型/环型区，实质上沿着该重掺杂源极/漏极区的边缘，该边缘是位于一相近于该沟道区的一边；及一扩散阻滞区，位于该半导体基底中，实质上对准于该栅极的边缘。