发明名称 |
半导体元件的制造方法及调整元件沟道区晶格距离的方法 |
摘要 |
一种半导体元件的制造方法,其是先于衬底上形成数个栅极结构。然后,于各个栅极结构侧边的衬底中形成对应的源极区与漏极区。之后,于衬底上形成自对准金属硅化物阻挡层,覆盖栅极结构与裸露的衬底表面。接着,进行退火工艺,且在进行退火工艺时,自对准金属硅化物阻挡层会产生张应力,而使得位于栅极结构下方的衬底受到张应力。继之,移除部分的自对准金属硅化物阻挡层,而裸露出一部分的栅极结构与部分的衬底表面。随后,进行自对准金属硅化物工艺。 |
申请公布号 |
CN1855392A |
申请公布日期 |
2006.11.01 |
申请号 |
CN200510067250.8 |
申请日期 |
2005.04.20 |
申请人 |
联华电子股份有限公司 |
发明人 |
刘毅成;黄正同;萧维沧;廖宽仰 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01);H01L21/8234(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;侯宇 |
主权项 |
1.一种半导体元件的制造方法,包括:于一衬底上形成多个栅极结构;于各该栅极结构侧边的该衬底中形成对应的一源极区与一漏极区;于该衬底上形成一自对准金属硅化物阻挡层,覆盖该些栅极结构与裸露的该衬底表面;进行一退火工艺,且在进行该退火工艺时,该自对准金属硅化物阻挡层会产生张应力,而使得位于该些栅极结构下方的该衬底受到张应力;移除部分该自对准金属硅化物阻挡层,而裸露出一部分的该些栅极结构与部分的该衬底表面;以及进行一自对准金属硅化物工艺。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区 |