非挥发性存储器及其制造方法

摘要

一种非挥发性存储器，由基底、辅助栅极结构、字线、浮置栅极、穿隧介电层、栅间介电层与源极区/漏极区所构成。辅助栅极结构设置于基底上，且辅助栅极结构的底部宽度大于顶部宽度。浮置栅极设置于辅助栅极结构的一侧，且位于字线与基底之间，浮置栅极的底部宽度小于顶部宽度。字线、浮置栅极与辅助栅极结构构成一存储单元。穿隧介电层设置于浮置栅极与基底之间。栅间介电层设置于字线、浮置栅极与辅助栅极结构之间。源极区/漏极区设置于存储单元两侧的基底中。

主权项

1、一种非挥发性存储器，包括：一基底；一辅助栅极，设置于该基底上，该辅助栅极的底部具有一第一宽度，顶部具有一第二宽度，该第一宽度大于第二宽度；一栅介电层，设置于该辅助栅极与该基底之间；一字线，设置于该基底上；一浮置栅极，设置于该辅助栅极的一侧，且位于该字线与该基底之间，该浮置栅极的底部具有一第三宽度，顶部具有一第四宽度，该第四宽度大于第三宽度，该辅助栅极、该浮置栅极与该字线构成一存储单元；一穿隧介电层，设置于该浮置栅极与该基底之间；一栅间介电层，设置于该字线与该浮置栅极之间、该字线与该辅助栅极之间以及该辅助栅极与该浮置栅及之间；以及一源极区/漏极区，设置于该存储单元两侧的该基底中。