| 发明名称 | 一种利用铜选择性淀积的大马士革工艺 | ||
| 摘要 | 本发明有关一种利用铜选择性淀积的大马士革工艺，在淀积扩散阻挡层和铜籽晶层后包括以下步骤，首先，淀积易挥发或可湿法去除的有机材料；接着，将过填的材料和未开槽区域的铜籽晶层及扩散阻挡层去除；然后，去除上述有机材料；然后，在沟槽及栓塞孔中进行铜淀积；最后，对突起的铜进行去除。由于采用本方法，大大减小了铜的化学机械抛光(CMP)的研磨量和所需的机械强度，且无需过研磨。从而使CMP后铜的凹陷最小化，并使表面平坦度得到提高。研磨量的减少和CMP机械强度的降低还会使与CMP相关的缺陷下降。 | ||
| 申请公布号 | CN1855420A | 申请公布日期 | 2006.11.01 |
| 申请号 | CN200510025457.9 | 申请日期 | 2005.04.27 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 方精训;缪炳有;朱骏;朱建军 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/3205(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1.一种利用铜选择性淀积的大马士革工艺，其特征在于：在淀积扩散阻挡层和铜籽晶层后包括以下步骤，首先，淀积易挥发或可湿法去除的有机材料；接着，将过填的材料和未开槽区域的铜籽晶层及扩散阻挡层去除；然后，去除上述有机材料；然后，在沟槽及栓塞孔中进行铜淀积；最后，对突起的铜进行去除。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东川桥路1188号 | ||