包括除去光刻胶的等离子体灰化处理的形成半导体器件的方法

摘要

一种在DRAM装置中形成具有金属氮化物底电极，电容器绝缘膜和上电极的圆柱形电容器的方法包括以下步骤：在圆柱孔中的底电极上形成光刻胶膜，通过使用无氧气体的等离子体灰化处理除去光刻胶膜，和在底电极上连续地形成绝缘膜和上电极。等离子体灰化处理采用将等离子体气体加速到圆柱形沟槽中的偏压。

主权项

1.一种制备半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：在半导体衬底的表面上形成绝缘膜；在所述的绝缘膜中形成沟槽；在包括所述的沟槽表面的所述绝缘膜上形成金属氮化物膜；至少在所述金属氮化物膜上的所述沟槽内形成光刻胶膜；除去所述的绝缘膜上的部分所述金属氮化物膜；和通过使用无氧气体的等离子体的等离子体增强灰化处理，除去所述的光刻胶膜，所述的非氧气体中不包括氧。