发明名称 |
双极有机薄膜场效应晶体管及其制造方法 |
摘要 |
在具有金属/绝缘体/半导体(MIS)结构的薄膜场效应晶体管中,半导体层由有机化合物形成,而绝缘层是由可溶于有机溶剂中和显示出类似于铁电材料的自发极化现象的有机化合物形成。当于源极和栅极间施加不小于此绝缘层的有机化合物的矫顽场和不大于其耐压的电压来进行分极时,此晶体管显示出n型晶体管特性;而在不分极时,此晶体管显示出p型晶体管特性。 |
申请公布号 |
CN1855572A |
申请公布日期 |
2006.11.01 |
申请号 |
CN200610074140.9 |
申请日期 |
2006.03.24 |
申请人 |
国立大学法人大阪大学;信越化学工业株式会社 |
发明人 |
川合知二;谷口正辉;水野江里子;福井育生 |
分类号 |
H01L51/05(2006.01);H01L51/40(2006.01) |
主分类号 |
H01L51/05(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
杜日新 |
主权项 |
1.一种双极有机薄膜场效应晶体管,具有金属/绝缘层/半导体结构,其特征在于:制造半导体层的材料包括有机化合物,制造绝缘层的材料包括可溶于有机溶剂中且显示出类似铁电材料的自发极化的有机化合物,所述晶体管当源极和栅极间施加不小于所述绝缘层的有机化合物的矫顽场和不大于所述绝缘层有机化合物耐压的电压来进行分极时,所述晶体管显示出n型晶体管特性;在不进行分极时,所述晶体管显示出p型晶体管特性。 |
地址 |
日本大阪府 |