发明名称 固态摄像装置
摘要 本发明提供了一种具有高信噪比的MOS固态摄像装置。在形成于半导体基底内部的图像检测部分(2)的表面上,提供了其面积小于图像检测部分(2)表面积、具有涂覆于其间的绝缘薄膜(6)的抗反射薄膜(10)。抗反射薄膜(10)被形成为未覆盖图像检测部分(2)和外围区域之间的边界部分。每个抗反射薄膜(10)与栅电极(7)之间的间隙S1的距离和抗反射薄膜(10)与元件隔离区域(5)之间的间隙S2的距离优选等于或大于0.2μm。当抗反射薄膜(10)面积等于或大于图像检测部分(2)表面积的70%时,即使用于带有可互换镜头的照相机,也能抑制像素灵敏度的波动。
申请公布号 CN1855519A 申请公布日期 2006.11.01
申请号 CN200610068289.6 申请日期 2006.03.27
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 稻垣诚;井垣和明;佐伯幸作
分类号 H01L27/146(2006.01) 主分类号 H01L27/146(2006.01)
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 王琼
主权项 1.一种固态摄像装置,包括:多个布置在半导体基底上的像素,每个像素均包括用来根据接收的光量积聚电荷的图像检测部分;多个抗反射薄膜,每个抗反射薄膜的面积都小于图像检测部分的表面积,并形成在每个图像检测部分上;以及具有多个开口的层间电介质薄膜,每个开口的面积等于或大于图像检测部分的表面积,所述开口形成在抗反射薄膜上方。
地址 日本大阪府
您可能感兴趣的专利