发明名称 | 用标准工艺制作磷硅酸玻璃层光波导及集成的方法 | ||
摘要 | 一种用标准工艺制作磷硅酸玻璃层光波导及集成的方法,其特征在于,其步骤包括:步骤1:在硅衬底上的中间生长二氧化硅层;步骤2:在硅衬底上、二氧化硅层的两端,分别制作阱和有源区,一端形成光源,另一端形成探测器;步骤3:在二氧化硅层上淀积磷硅酸玻璃层形成光波导,该阱和有源区分别与磷硅酸玻璃层耦合;步骤4:在磷硅酸玻璃层上淀积金属铝形成上包层;光源发出的光直接耦合进光波导,通过光波导传送到光探测器,并由光探测器转换成电信号。 | ||
申请公布号 | CN1854775A | 申请公布日期 | 2006.11.01 |
申请号 | CN200510011606.6 | 申请日期 | 2005.04.21 |
申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 陈弘达;顾明;高鹏 |
分类号 | G02B6/13(2006.01) | 主分类号 | G02B6/13(2006.01) |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
主权项 | 1、一种用标准工艺制作磷硅酸玻璃层光波导及集成的方法,其特征在于,其步骤包括:步骤1:在硅衬底上的中间生长二氧化硅层;步骤2:在硅衬底上、二氧化硅层的两端,分别制作阱和有源区,一端形成光源,另一端形成探测器;步骤3:在二氧化硅层上淀积磷硅酸玻璃层形成光波导,该阱和有源区分别与磷硅酸玻璃层耦合;步骤4:在磷硅酸玻璃层上淀积金属铝形成上包层;光源发出的光直接耦合进光波导,通过光波导传送到光探测器,并由光探测器转换成电信号。 | ||
地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 |